[发明专利]NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备有效
| 申请号： | 202111678305.4 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114530178B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;刘晓健;王嵩 | 申请（专利权）人： | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人： | 李丽颖 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备，该方法包括：读取NAND芯片中写入块的数据时，获取所述写入块写入的字线数；根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压；根据所述优选读电压对所述写入块进行读取。本发明在读取NAND芯片中写入块Open Block的数据时，根据Open Block写入的字线数来自动优化该Open Block的读电压，用优化后的优选读电压去读取该Open Block，从而减小Open Block的失效位数，提高NAND芯片的读取效率。 | ||
| 搜索关键词： | nand 芯片 写入 读取 方法 存储 介质 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京得瑞领新科技有限公司，未经北京得瑞领新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111678305.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
