[发明专利]一种单片式晶圆的高温湿法清洗方法在审
| 申请号： | 202111677857.3 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114420541A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘大威;邓信甫;徐铭 | 申请（专利权）人： | 江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单片式晶圆的高温湿法清洗方法，包括：通过传输组件，将晶圆输送至密闭的清洗腔室内，并于清洗槽的上方静置；通过真空系统对清洗腔室进行抽真空，待晶圆处于负压状态后，将晶圆置入清洗槽内，并通过真空系统破除清洗腔室内的真空状态，以使得清洗溶液倒灌入晶圆表面的狭缝之中。本发明的高温湿法清洗方法在清洗过程中，利用负压抽除了晶圆表面狭缝内的气体，如此再将晶圆置入清洗溶液中，并破除真空，清洗溶液即可倒灌入狭缝，完成对该狭缝的清洗；同样的，纯水对狭缝的清洗可以防止残留的清洗溶液对晶圆狭缝处表面的过度蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 式晶圆 高温 湿法 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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