[发明专利]一种结晶Cu2在审

专利信息
申请号: 202111669344.8 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114335441A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 亓钧雷;蔡逸飞;秦斌;曹健;冯吉才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01M4/1391 分类号: H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/66;H01M10/052
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种结晶Cu2O复合金属锂负极的制备方法,它属于二次电池领域。它解决了现有金属锂在Cu集流体上沉积剥离形貌不可控,导致其在循环充放电中产生苔藓锂和枝晶锂等不致密的沉积结构的问题。方法:一、制备洁净的Cu集流体;二、惰性气氛下升温,低压氧气下保温制备结晶Cu2O修饰的Cu集流体;三、组装Li‑Cu半电池并进行恒电流放电镀锂,拆解后获得结晶Cu2O复合金属锂负极。本发明产物性能稳定,制备过程简单,工艺成本低,易于连续大量生产;结晶Cu2O复合金属锂负极的循环稳定性,优异的倍率性能、深度充放性能,高且稳定的库伦效率。经多次充放电,电极表面平整致密,没有明显的枝晶锂形成。本发明适用于金属锂负极的制备。
搜索关键词: 一种 结晶 cu base sub
【主权项】:
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