[发明专利]多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法及系统在审
| 申请号： | 202111668370.9 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114329995A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡悦;曾然;徐静俏;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/16 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 冷红梅 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光学技术领域，具体涉及一种多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法，包括以下步骤：S1、建立多层双曲超材料结构的模型；S2、给出多层双曲超材料结构中的电场和磁场表达式；S3、设计多层双曲超材料的传输矩阵；S4、计算光从普通介质入射至多层双曲超材料结构的反射系数；S5、计算模型下的原子自发辐射率。本发明根据传输矩阵法获取光从真空入射到多层双曲超材料内的反射透射特性，能准确分析多层双曲超材料附近原子的自发辐射率。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 双曲超 材料 附近 原子 自发辐射 获取 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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