[发明专利]阵列基板及其制作方法、以及显示装置在审
| 申请号: | 202111661587.7 | 申请日: | 2021-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN114335026A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 孙少君;张亚娇;刘承俊;李海光;池彦菲;鲁俊祥;陈凡;俞洋;林祥栋;胡贵光;蔡继辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李远思 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置,其中本发明一实施例的阵列基板包括显示区和非显示区,包括衬底和层叠设置在衬底上的源漏层、覆盖源漏层的保护层、以及设置在保护层上的电极层,源漏层包括源极和漏极,电极层包括像素电极;非显示区包括:与源极和漏极同层设置的第一信号线;贯通保护层的至少一个第一过孔,第一过孔包括第一孔区、以及设置在保护层远离源漏层一侧的并且围绕第一孔区的第一斜坡区,第一信号线在衬底上的正投影覆盖第一过孔在衬底上的正投影;以及与像素电极同层设置的导电部,导电部覆盖所述第一过孔。本发明提供的阵列基板通过设置第一过孔包括第一孔区和围绕第一孔区的第一斜坡区,避免导电部搭接不良。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111661587.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





