[发明专利]一种大功率光阻芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202111656070.9 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114171611A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 宣玉龙 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 于雅洁 |
| 地址： | 213000 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种大功率光阻芯片及其制作方法，涉及半导体技术领域。该大功率光阻芯片包括N+层；位于N+层一侧的N层；位于N层一侧的P+层；其中，P+层上设置有连通至N层的腐蚀槽；钝化层，覆盖于腐蚀槽的表面，且钝化层包括多个子钝化层，每个子钝化层的材料均不相同。本申请提供的大功率光阻芯片及其制作方法具有提高了芯片稳定性及可靠性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
