[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202111652858.2 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334632A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 史仁先;王国峰 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/311;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 536005 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。本申请通过在低温条件下生长出比较疏松的牺牲层并去除牺牲层及部分第一氧化层，使得生产的半导体器件具有较小的漏电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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