[发明专利]III族氮化物半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 202111651536.6 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114293249A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种III族氮化物半导体材料的制备方法，其包括在生长完第M层III族氮化物材料层后的升温阶段或降温阶段，在保持反应腔内氮源气体和反应载气的持续通入的同时，至少将生长第M层III族氮化物材料层所用的III族原料源中的与氮原子成键键能最弱的III族原料源通入反应腔中，其中，M≥1，M为整数。由此，可以提高制得的第M层III族氮化物材料层的界面处键能较弱原子的浓度，减弱键能较弱原子的分解，使界面处金属原子比例维持不变，进而防止第M层III族氮化物材料层的界面处的组分发生畸变。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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