[发明专利]一种RESFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111638719.4 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114497192A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 黄双武;高麟飞;林峰;吴钧烨;黎晓华;刘新科 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L23/64;H01L27/06;H01L21/336;H01L21/8252;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种RESFET器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的RESFET器件静态功耗更低，延时更低，减小器件体积，提高集成度。由于纳米线的上表面、下表面和侧面均形成沟道，从而能够形成多层沟道结构，进一步提升上述多层纳米线叠层环栅的沟道结构的整体载流子迁移率和多层纳米线的综合性能。由于采用宽度较窄的纳米线，则具有低功耗的特点。相比传统垂直FinFET器件可以实现更有效地散热，更长时间的正常工作，更高的输出电流密度。本发明的RESFET器件的制备方法在提升了器件性能，提升了器件集成度，降低能耗的同时采用的都是没有任何门槛的技术手段，因此适合大规模推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 resfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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