[发明专利]一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111638718.X | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114497185B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;林峰;李博;黄双武;宋利军;黎晓华 | 申请（专利权）人： | 深圳市爱迪芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/02;H01L21/3115;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 张文凯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的碳掺杂绝缘层的制备方法简洁高效，实用。等离子增强的碳离子注入增加了C的活性和均匀性。由于C进入到氮化镓的能级，从而导致形成了一层高阻区域，能够有效阻断器件的漏电，使得制备出来的碳掺杂绝缘层的漏电流大幅度下降，极大的提升了器件性能。本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率，低漏电流。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流，更高的器件击穿电压，具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料，解决了现有的外延层晶格失配大，缺陷密度大的问题，改善了界面性能，进一步的提升了HEMT器件的性能，良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 绝缘 制备 方法 hemt 器件 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市爱迪芯半导体有限公司，未经深圳市爱迪芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111638718.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
