[发明专利]空腔型压电单晶体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111638169.6 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114301406A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 潘峰 | 申请（专利权）人： | 苏州达波新材科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空腔型压电单晶体声波谐振器及其制备方法。所述空腔型压电单晶体声波谐振器包括衬底和压电单晶薄膜，所述压电单晶薄膜具有相背对的第一面和第二面，所述第一面、第二面分别设有第一电极、第二电极，所述第一面与衬底表面结合，所述衬底表面形成有相互连通的空气腔和排气沟道，所述第一电极设置于相应的空气腔内，所述排气沟道与设置于所述声波谐振器表面的开口连通。与现有技术相比，本发明避免了直接刻蚀化学性质稳定的压电单晶薄膜，降低了空腔型压电单晶体声波谐振器的制备难度，同时通过设置排气沟道辅助键合过程，可以减少键合过程中的气泡缺陷，具有很强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 压电 单晶体 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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