[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 202111635946.1 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114335142A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁烨;刘雯 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括衬底、依次层叠形成于所述衬底上方的缓冲层、沟道层和势垒层、彼此间隔形成于所述势垒层上方的源极、栅极和漏极、以及纵向场板和横向场板，其中，所述纵向场板形成于所述漏极下方并穿设于至少部分所述缓冲层、沟道层和势垒层中，所述横向场板形成于所述漏极上方并至少部分位于所述漏极和栅极之间。本发明的半导体器件通过设置横向场板和纵向场板两个区域的场板实现高击穿电场特性；纵向场板和横向场板均起到分散电场尖峰的作用，其中，漏极下方的纵向场板能够有效的分散高电场，结合漏极水平阶梯场板技术，可以极大的提高器件的关态击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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