[发明专利]一种基于非高斯非圆信号特性的稳健自适应波束形成方法在审
申请号: | 202111620653.6 | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN114329328A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 叶中付;杨会超;王鹏宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G06F17/16 | 分类号: | G06F17/16;G06F17/18 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种基于非高斯非圆信号特性的稳健自适应波束形成方法,包括:利用Capon功率谱获取期望信号和干扰的初始波达方向角度,并将全空间划分为期望信号区域、干扰区域和噪声区域,再利用噪声区域内的Capon功率平均值估计噪声功率;获取期望信号和干扰的名义导向矢量;利用均匀线阵接收数据的采样协方差矩阵的特征向量作为与名义导向矢量垂直的误差矢量;基于Capon功率最大化准则进行导向矢量更新,估计得到期望信号和干扰的导向矢量;重构干扰加噪声协方差矩阵,并估计期望信号和干扰的非圆系数;重构伪协方差矩阵,并进行期望信号导向矢量的扩展以及协方差矩阵的扩展,基于扩展的期望信号导向矢量以及协方差矩阵,对阵列接收的信号进行波束形成。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 非高斯非圆 信号 特性 稳健 自适应 波束 形成 方法 | ||
【主权项】:
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