[发明专利]一种低介、低损耗硼化物LTCC材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低介、低损耗硼化物LTCC材料及其制备方法，该硼化物LTCC材料的化学表达式为ABB5O9，其中A=Li、Na；B=Sr、Ba、Ca。该硼化物LTCC材料制备工艺依次如下：水热法制备ABB5O9粉末、球磨、压制成型、烧结成瓷。本发明制备得到的ABB5O9基LTCC材料的主晶相为ABB5O9（A=Li、Na；B=Sr、Ba、Ca）单相，具有原料成本低、烧结温度低（700~825℃）、介电常数低（4.3~8.5、Qf值较高（10500~58850GHz）、制备工艺简单、重现性好等优点，且可以解决高频通讯中微波信号的时延问题，提高微波信号传输的稳定性，非常适合用作LTCC微波基板。