[发明专利]一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法在审
| 申请号： | 202111607942.2 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114078990A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;崔恒平;蔡玉梅;陈凯轩;蔡海防 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 波导 应变 外延 结构 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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