[发明专利]CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法

摘要

公开了一种CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法。该CMOS成像传感器包括成像像素，该成像像素包括半导体衬底、光电传感器块和FeMOSFET器件。该Fe‑MOSFET器件诸如用于并入成像像素阵列的像素内电路系统中以提供重置和双转换增益特征。Fe‑MOSFET包括注入到半导体衬底中并通过沟道区分隔开的源极区和漏极区。源极区可以是光电传感器的浮置扩散区。栅极结构被沉积在衬底上、至少沟道区的正上方，并且隔离层形成在衬底的表面上以将栅极结构与至少沟道区电隔离。隔离层被分成可以被写成不同的极化状态以进行转换增益控制的铁电材料的Fe段和可以用于在沟道区中的电流沟道形成的介电段。