[发明专利]用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法有效
| 申请号： | 202111603964.1 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114232086B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;李一村;代兵;郝晓斌 | 申请（专利权）人： | 宜昌中碳未来科技有限公司;哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04;C30B33/02;C30B33/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 443300 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法，本发明目的是为了解决MPCVD单晶金刚石同质外延生长方法中含裂纹籽晶生长易碎裂问题。生长方法：一、在正交偏振光下单晶金刚石籽晶裂纹影响区域呈现黑色；二、采用激光切割去除裂纹影响区域，形成矩形缺口；三、清洗籽晶；四、将清洗过的籽晶放置于管式炉中退火处理；五、将退火后的籽晶放置于MPCVD设备中，控制舱内气压、微波功率和籽晶温度，通入甲烷和氮气使单晶金刚石横向生长并填充矩形缺口；六、进行MPCVD单晶金刚石的垂直外延生长。本发明能够对缺口侧面进行有效处理并促进横向生长，使得含裂纹籽晶也能够被用于高品质单晶生长，减少了籽晶的浪费并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 裂纹 籽晶 mpcvd 金刚石 生长 方法 | ||
【主权项】：
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