[发明专利]用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构在审
| 申请号： | 202111598453.5 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN116332114A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王诗男 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01M3/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构，所述气密性监测结构包括：第一基板；第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合以使所述第一基板的第一主面上的空腔与所述第二基板形成气密性空腔，所述微电子器件位于所述气密性空腔中；密封室，所述密封室由设置于所述第二基板上的膜层与周围环境气密性阻隔，所述密封室内的气压与所述气密性空腔内的气压正相关，所述膜层配置为根据密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。本发明可解决真空腔内MEMS器件的可信度较低等问题，所述气密性监测结构简单、量测过程简易可行，因而具有实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微电子 器件 空腔 内部 气密性 监测 结构 | ||
【主权项】：
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