[发明专利]制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器在审
| 申请号： | 202111587794.2 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114275729A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;洪浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵静 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器，制作纳米孔阵列的方法，包括：提供硅片；形成第一掩膜层，形成第二掩膜层；形成第一图案化层；形成第二图案化层；进行第一湿法刻蚀；进行第二湿法刻蚀；形成功能材料层；对第二刻蚀腔进行第三湿法刻蚀，以形成第三刻蚀腔，暴露位于锥尖的功能材料层；对位于锥尖的功能材料层进行第四刻蚀，以形成多个纳米孔，得到纳米孔阵列。由此，可通过简便的方法制备具有孔径均一、制备流程简便、可重复性高等优点的纳米孔阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 纳米 阵列 方法 传感器 | ||
【主权项】：
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