[发明专利]一种制备超密集热点空间结构的方法有效
| 申请号： | 202111580593.X | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114231930B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张永军;梁龙杰;温嘉红;赵晓宇;刘佳;张坤;孔哲;王雅新 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;B82Y40/00;C23C14/10;C23C14/14 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备超密集热点空间结构的方法，本发明以银、二氧化硅共溅射为基础，使用HF腐蚀二氧化硅形成密集缝隙热点为思路制备上下两层金属结构。用旋涂的方法将掺杂银纳米颗粒的PVA胶搭建在两层金属膜中间，以控制两层金属膜间距，这样掺杂在PVA胶中银纳米颗粒和上下两层金属颗粒薄膜形成交错的空间结构。最后对样品进行化学腐蚀，有效超密集热点的空间结构。本发明使得银纳米颗粒在空间错杂排布，大大增强其拉曼强度，形成空间超密集热点分布。采用了物理化学共同处理的手段。提出一个崭新的实验方案设计并制备了所要获得的纳米图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 密集 热点 空间结构 方法 | ||
【主权项】：
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