[发明专利]一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构在审
| 申请号： | 202111575963.0 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114334886A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁琳;尚海 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/552 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 李君;廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构，属于电子电力器件技术领域，具体包括：第一抗辐照导电片、第二抗辐照导电片和缓冲导电片；第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片覆盖MOSFET芯片；且第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片均为高Z材料；第一抗辐照导电片的一端通过缓冲导电片与MOSFET芯片上方的源极连接；第二抗辐照导电片的一端与MOSFET芯片下方的漏极连接；第一抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片上方的电子辐照；第二抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片下方的电子辐照。本发明实现了抗辐照性能、体积、重量乃至成本的折中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 辐照 mosfet 加固 封装 结构 | ||
【主权项】：
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