[发明专利]具有非吸收镜的激光器装置及方法在审
| 申请号： | 202111562371.5 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114944594A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 雷内·托特;马库斯·罗施;叶夫根耶·齐比克;苏珊·帕夫利克;古斯塔沃·F·维拉雷斯 | 申请（专利权）人： | II-VI特拉华有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭浩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有诸如量子阱、增益/发光介质或其他装置的一个或多个有源区域以及一个或多个非吸收区域的激光器装置可以通过第一轮生长(生长第一半导体层)，然后执行选择性浅深度蚀刻，然后第二轮生长(生长第二半导体层)而形成。激光器装置可以包括第一部分、位于第一部分上的一个或多个有源区域和位于有源区域上的第二部分。第三部分可以位于第一部分的一个或多个端部上和第二部分上。第三部分可以在蚀刻步骤之后在第二轮生长期间形成。非吸收区域可以由第三部分和第一部分的端部形成。如果需要，可以在没有退火或局部诱导的量子阱混杂的情况下产生非吸收区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸收 激光器 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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