[发明专利]一种硅颗粒制备装置及方法在审
申请号: | 202111556503.3 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114231941A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 杨明财;王生红;鲍守珍;宗冰 | 申请(专利权)人: | 亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/442;C01B33/035 |
代理公司: | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人: | 孔鹏 |
地址: | 810007 青海*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本申请公开了一种硅颗粒制备装置及方法,属于硅颗粒生产技术领域,硅颗粒制备装置,硅颗粒制备装置包括第一反应筒、第二反应筒、第一管道、第二管道、鼓风组件以及加热组件。加热组件用于对第一反应筒进行加热,并将第一反应筒的内壁加热至超过晶体硅融点的温度。第二反应筒安装于第一反应筒的下方,含硅气体和氢气分别沿第一管道和第二管进入到第二反应筒内,且氢气和含硅气体经过鼓风组件的加速后会以较快的速度进入到第二反应筒内。本发明公开的硅颗粒制备装置制备的晶种和硅颗粒不会沉积在反应筒的内壁,晶种在第二反应筒内做无规则运动时,含硅气体和氢气在晶种的表面发生沉积反应,可以保证晶种的尺寸均匀,且获得的晶种的纯度较高。 | ||
搜索关键词: | 一种 颗粒 制备 装置 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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