[发明专利]蓝宝石衬底的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111556267.5 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114220893A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘思东 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 周永强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种蓝宝石衬底的刻蚀方法，涉及半导体技术领域。一种蓝宝石衬底的刻蚀方法包括：掩膜形成步骤，在蓝宝石衬底的表面形成光刻胶掩膜图形；第一刻蚀步骤，通入第一刻蚀气体刻蚀蓝宝石衬底和光刻胶掩膜图形，使蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮廓，同时在光刻胶掩膜图形的侧壁形成拐角；第二刻蚀步骤，通入第二刻蚀气体刻蚀光刻胶掩膜图形，去除拐角并修直光刻胶掩膜图形的侧壁；循环第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，直到光刻胶掩膜图形完全去除；第三刻蚀步骤，通入第三刻蚀气体，并施加比第一刻蚀步骤高的下电极功率，获得具有圆锥状凸起结构的蓝宝石衬底。本申请能够解决PSS衬底侧壁弧度大导致芯片亮度降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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