[发明专利]功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺在审
| 申请号： | 202111553018.0 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114256172A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 丁浩宸;杨超;陈志阳;徐彩云 | 申请（专利权）人： | 无锡惠芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/50 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214035 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺，该结构包括MOSFET芯片、第一互连层、底覆铜陶瓷基板、第二互连层、顶覆铜陶瓷基板、引线框架、灌封胶和管壳。本发明将标准TO封装中的铜基板替换为三层结构的底覆铜陶瓷基板，将键合铝线互连以顶覆铜陶瓷基板的铜布线层互连替代。一方面通过双基板外金属层裸露于管壳表面，直接与散热器相连构成双面散热结构，减小MOSFET的封装热阻，另一方面以铜层互连替代键合线可以减小功率回路电感，同时陶瓷层的引入提升器件结构对热膨胀的耐受力，并以石墨烯材料的高导热性能提升器件散热效率，从而提高功率MOSFET的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 可靠性 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
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