[发明专利]一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺在审
| 申请号： | 202111544330.3 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114446777A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈凯;刘西安 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺，包括涂蜡贴附、粗抛、中抛、精抛、剥离及去蜡清洗工序。通过在抛光布不同布时期间，调整抛光压力、中精抛时间以及抛光液流量等工艺条件弥补布时中后期修复损伤层能力不足：中精抛布时周期均为80h，在布时50h之前采用一贯CMP工艺：中抛压力2.2～2.4kg/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 抛光 发生率 cmp 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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