[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法在审
| 申请号： | 202111541258.9 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114242742A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：步骤一、在栅极结构的侧面形成侧墙，包括：沉积第一介质层；对第一介质层进行侧墙刻蚀工艺，由保留在各栅极结构的侧面的第一介质层自对准形成侧墙；在侧墙外保留有第一厚度的第一介质层；步骤二、在感光二极管的形成区域中进行第二导电类型重掺杂的离子注入以形成针扎层，针扎层的离子注入会穿过第一介质层，利用第一厚度防止针扎层的离子注入对半导体衬底表面产生损伤；步骤三、进行侧墙刻蚀后清洗工艺，第一介质层会产生损耗并减少为第二厚度；步骤四、进行源漏注入形成对应的源漏区。本发明能减少CMOS图像传感器的白点，同时不影响源漏注入工艺且不会增加工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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