[发明专利]量子阱发光层结构、生长方法及外延片有效
| 申请号： | 202111534813.5 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114242861B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王广浩 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子阱发光层结构的生长方法，包括：S1、在具有n型外延层的基底上生长InGaN量子阱层；S2、在InGaN量子阱层上生长GaN量子垒层；S3、交替重复S1和S2，形成周期性交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；S4、在最后一层InGaN量子阱层上分N个连续的时间段生长GaN量子垒层；后一时间段中GaN量子垒层的生长温度小于等于相邻前一时间段中GaN量子垒层的生长温度；在每个GaN量子垒层生长时掺In的时间段中，In源流量随时间线性降低。本发明通过将最后一个GaN量子垒层分段生长且掺In组分渐变，促进了p型层空穴注入到量子阱发光层，降低了最后一个量子阱层中的激化效应，改善电子和空穴交叠，提高量子阱的发光效率，改善大电流下的droop效应。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光 结构 生长 方法 外延 | ||
【主权项】：
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