[发明专利]一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法在审
| 申请号： | 202111530295.X | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114414972A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 汪波;秦林生;马林东;刘伟鑫;江芸;孔泽斌;祝伟明;楼建设;王昆黍 | 申请（专利权）人： | 上海精密计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N23/04;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 唐敏 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 图像传感器 电流 定量 质子 位移 损伤 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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