[发明专利]一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池在审
| 申请号： | 202111516365.6 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114156554A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周颖;王志斌;徐雄文;帅波 | 申请（专利权）人： | 湖南立方新能源科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42;H01M4/13;H01M4/139;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 潘俊达;郭宝煊 |
| 地址： | 412000 湖南省株洲市天元*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子技术领域，尤其涉及一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池，从上至下依次包括第一掺硅涂层、第一负极集流体、补锂层、第二负极集流体和第二掺硅涂层。本发明的掺硅补锂负极片两外侧设置有第一掺硅涂层和第二掺硅涂层，内侧设置有补锂层，具有高的克容量、首次效率、循环稳定性以及安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺硅补锂 负极 及其 制备 方法 以及 锂离子电池 | ||
【主权项】：
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