[发明专利]基板的清洗方法及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111514081.3 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113921382A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 唐斌;陈忠奎;朱红波;龙思阳;李鸿智;王宝生;欧志文 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基板的清洗方法及半导体器件的制备方法。在利用含氢氟酸的第一溶液对基板进行清洗之后，将基板置于预定温度下，在该预定温度下可促使偏硅酸分解。因此，在较高浓度的氢氟酸清洗完成后并转移基板的过程中，即使在基板表面上会产生有偏硅酸，此时将基板置于预定温度下即可使偏硅酸分解，以利于进一步去除偏硅酸，从而可有效解决由氢氟酸清洗所带来的工艺缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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