[发明专利]异质结太阳电池的制备方法、异质结太阳电池及应用在审
| 申请号: | 202111513014.X | 申请日: | 2021-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN114220887A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
| 发明(设计)人: | 张海川;蓝仕虎;张丽平;赵晖;石建华;付昊鑫;杜俊霖;孟凡英;刘正新 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑彤 |
| 地址: | 610200 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种异质结太阳电池的制备方法、异质结太阳电池及应用。该异质结太阳电池的制备方法包括如下步骤:通过气体源在硅衬底的第一表面上沉积第一钝化层,第一钝化层的基材为氢化非晶硅,在沉积第一钝化层的过程中逐渐向气体源中通入二氧化碳,且随沉积的第一钝化层的厚度增加,控制二氧化碳在气体源中的掺杂比例逐渐上升。相较于不具有杂原子呈梯度浓度分布结构的异质结太阳电池,在转化效率处于同一档位时,上述制备方法制备得到的异质结太阳电池具有更高的CTM值。 | ||
| 搜索关键词: | 异质结 太阳电池 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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