[发明专利]锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法在审
| 申请号： | 202111510628.2 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203526A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 谢辉;赵有文;赵士强;沈桂英;刘京明;王凤华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B3/04;B08B3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开公开了一种锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法，包括：对锑化镓抛光片用化蜡剂稀释液进行去蜡处理后，用去离子水冲洗；将所述锑化镓抛光片置于有机溶液中处理后，用去离子水冲洗；将所述锑化镓抛光片进行化学腐蚀液处理后，用去离子水冲洗；将所述锑化镓抛光片干燥处理后进行氮气密封。通过依次使用化蜡剂稀释液、有机溶液、化学腐蚀液对锑化镓抛光片进行表面化蜡工艺处理，能够改善表面颗粒物的吸附，并去除表面生成的自然氧化层，减少锑化镓单晶与外在环境的接触时间，从而有效控制锑化镓表面的氧化层厚度，满足外延材料使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 锑化镓单晶 表面 氧化 厚度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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