[发明专利]一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法在审
| 申请号： | 202111509138.0 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114421911A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;柯新建;黄凯 | 申请（专利权）人： | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 苗芬芬 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法，所述复合结构自下而上依次包括单晶硅衬底层、多晶硅层、吸收层、绝缘层和压电单晶薄膜层，所述吸收层用于吸收光刻时的入射光线，本申请通过在所述多晶硅层上制备吸收层，可以有效吸收光刻的光线，减弱光刻时的散射和反射，提高光刻的分辨率，抑制表面寄生电导效应，提高制备器件的性能以及工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面波 器件 衬底 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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