[发明专利]一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置在审
| 申请号： | 202111507585.2 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114217200A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 许琦辉;张金风;单光宝;陈兴;黄永;汪琼;程晨言;王霄;李槟激;杨旭豪;王宇轩;常娟雄;邵语嫣;刘晓磊 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 | 代理人： | 于秀 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置，其中的方法包括如下步骤：获取待预测器件各层的厚度和各层的组分；根据各层的厚度和各层的组分确定待预测器件中的异质结界面极化电荷；基于待预测器件的界面和内部电场特性确定待预测器件的静态性能与异质界面极化电荷之间的协同对应关系；获取待预测器件中各沟道顶部界面的势垒高度；根据异质结界面极化电荷、各沟道顶部界面的势垒高度、各层的组分和厚度以及协同对应关系确定待预测器件的静态性能。本发明中的方法，能够实现对N极性(III族氮化物)HEMTs器件结构的2DEG浓度和势垒高度进行计算，并预测2DHG的产生，有助于理解N极性多沟道HEMTs器件原理并指导器件制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 iii 氮化物 半导体器件 性能 预测 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院，未经西安电子科技大学芜湖研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111507585.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高收银效率的方法及系统
- 下一篇：海马提取物的制备方法及其应用
