[发明专利]一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件在审
| 申请号： | 202111506390.6 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114300537A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;林徐葳;秦海峰;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 廖曦 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提出一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的LIGBT器件集成了表面和体内双二极管，其中P+表面层为阳极，P型浮空层为漂移区，N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成表面二极管结构；P+表面层为阳极，P‑top区域为漂移区，N型漂移区和N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成体内二极管结构。该器件正向导通时，空穴可以通过体内二极管抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；反向导通时，体内和表面二极管同时承担反向电流；在关断时刻，体内二极管抽取存储的载流子，减小关断时间和关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 表面 体内 并联 二极管 ligbt 器件 | ||
【主权项】：
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