[发明专利]一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法在审
| 申请号： | 202111504627.7 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114161258A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张弛;李晖;霍晓青;高飞;王磊;张胜男;高鹏程;王淳;李响 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B41/06;B24B41/00;B24B41/04;H01L21/463 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶片 解理 边缘 磨削 方法 | ||
【主权项】：
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