[发明专利]一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置有效
| 申请号： | 202111490083.3 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN113897683B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 耿文浩;王蓉;皮孝东;王明华;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/36;C30B33/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭，包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层；将n型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系将n型碳化硅晶锭作为阳极并在刻蚀液中设置阴极和参比电极；采用特定波长的入射光对n型碳化硅晶锭进行照射，入射光照射在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，向n型碳化硅晶锭提供正恒电位，非晶层表面的光生电子沿电流转移到阴极上与刻蚀液发生反应，刻蚀液对非晶层表面进行选择性刻蚀，实现单晶层的剥离，得到n型碳化硅单晶片。通过本发明得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】：
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