[发明专利]一种半导体工艺设备和一种电压补偿方法有效
| 申请号： | 202111473750.7 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114237337B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 赵晓建;刘卓远 | 申请（专利权）人： | 西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备和一种电压补偿方法，所述半导体工艺设备的控制器在进行工艺时，可以获取晶圆上的鞘层电压，根据鞘层电压和预设的补偿系数，确定电压补偿值，通过切换开关将吸附电源的中性点切换至与补偿电源连接，控制补偿电源按照电压补偿值输出补偿电压，以使静电卡盘的正、负电极对晶圆的吸附力保持平衡，避免吸附力不平衡导致晶圆的异常吸附，降低背He漏率，提高工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 工艺设备 电压 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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