[发明专利]微电子装置结构,以及相关的电子系统及方法在审
| 申请号: | 202111455734.5 | 申请日: | 2021-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN114597215A | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
| 发明(设计)人: | K·V·S·瓦迪韦尔;胡怡;H·N·贾殷 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本申请案涉及包含包括由槽结构分离的交错块结构的分层堆叠的微电子装置结构,以及相关的电子系统及方法。微电子装置包括堆叠结构,所述堆叠结构包括布置成层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列。所述堆叠结构包括第一块结构,所述第一块结构包括由顶部区域彼此间隔开的阶梯结构,所述阶梯结构各自包括界定在所述导电结构及所述绝缘结构的所述层的水平边缘处的台阶;及第二块结构,所述第二块结构水平邻近所述第一块结构并且包括由额外顶部区域彼此间隔开的额外阶梯结构,所述额外阶梯结构与所述第一块结构中的所述阶梯结构水平偏移,且槽结构延伸穿过所述堆叠结构并且插置在所述第一块结构与所述第二块结构之间。还描述了相关的微电子装置、电子系统及方法。 | ||
| 搜索关键词: | 微电子 装置 结构 以及 相关 电子 系统 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





