[发明专利]一种磁性半导体材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111449067.X 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN114156405A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 邓晨华;于忠海;孔森;杨森 申请(专利权)人: 太原师范学院
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 杨文艳
地址: 030619 山西省*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及自旋电子学材料领域,具体涉及一种磁性半导体材料及其制备方法;其化学式为AB1‑yCyX3,其中y=0‑0.1,A为Ca、Sr和Ba中的一种,B为Ti、Zr和Hf中的一种,X为S或Se,C为Mn、Fe和Co中的一种;由于硫族钙钛矿具有与氧化物钙钛矿相似的化学式和结构,当氧化物钙钛矿中的氧离子被硫族(S,Se)离子替代后它们的结构会发生畸变,由此引起电子结构的显著变化,相应地其带隙宽度与光电性质也会随之改变。并用具有局域磁矩的3d过渡族金属C(Mn、Fe、Co)取代B位阳离子,材料可表现出长程磁有序。因此,采用本发明设计并制备的硫族磁性半导体材料极大地丰富磁性半导体材料的可选择性,从而为设计新型的高居里点自旋电子学材料和器件提供可能。
搜索关键词: 一种 磁性 半导体材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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