[发明专利]坩埚组件和具有其的单晶生长装置有效
| 申请号： | 202111448447.1 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114134571B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 燕靖;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221004 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置，坩埚组件具有内外间隔且连通的第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室用于盛放原料，第一腔室内用于放置籽晶，坩埚组件具有与第一腔室连通的进气口和出气口，进气口适于通入惰性气体以带动第二腔室内的原料受热产生的气体进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口适于将过剩气体排出。根据本发明的坩埚组件，原料受热更加均匀，升华效果更好，此外，当碳化硅气体从第二腔室进入第一腔室后，可以防止部分碳化硅气体沉积在第一腔室的腔壁上，以使更多的碳化硅气体附着到籽晶上，有助于节约原料。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 组件 具有 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司，未经江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111448447.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
