[发明专利]具有集成二极管的碳化硅MOSFET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202111447391.8 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114122139A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;邢云鹏;李松俊;李旭;李轩;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/07;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有集成二极管的碳化硅MOSFET器件及制造方法，器件包括：源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区、N+衬底、N‑漂移区、P型基区、P+源区、N+源区、P型屏蔽层、屏蔽层N+源区、N型沟道区、栅介质层、多晶硅栅。本发明提出的沟槽型碳化硅MOSFET器件通过片内集成二极管的方式，大大节约了芯片面积。通过在沟槽底部引入N型沟道区，调节了氧化层界面处的电子势垒高度，显著改善器件第三象限特性，实现了低第三象限开启电压，从而避免了双极退化效应的发生；多沟道并联提高了器件正向电流能力，降低了导通电阻；通过P型屏蔽层对栅槽的包裹和保护，降低了栅氧化层电场，增强了器件氧化层可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 二极管 碳化硅 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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