[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111446531.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116207134A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;苗渊浩;杜勇;苏佳乐;张毅文;任宇辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/02;H01L21/76;H01L21/764;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐缓冲层上方形成第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上方形成锗量子阱层和硅量子阱层，锗量子阱层和硅量子阱层上方形成第二锗硅限制层，第二锗硅限制层上方形成硅帽层。通过两个锗硅限制层，同时将二维电子气和二维空穴气限制在由锗量子阱层和硅量子阱层组成的Si/Ge双层超晶格内，与主流CMOS工艺兼容。通过匹配应变锗量子阱层和硅量子阱层组成的Si/Ge双层超晶格中的空间间接激子，能够观察到质量不平衡电子空穴物理超流和玻色‑爱因斯坦凝聚，便于形成半导体量子点等结构进行物理超流和玻色‑爱因斯坦凝聚实验验证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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