[发明专利]一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法

摘要

本发明提供一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法，包括：依次设置的用于处理硅片的水蒸汽腔、第一烘干腔、酸性气体腔、第一纯水清洗槽、碱洗槽、第二纯水清洗槽和第二烘干腔；所述水蒸汽腔、所述第一烘干腔、所述酸性气体腔、所述第一纯水清洗槽、所述碱洗槽、所述第二纯水清洗槽和所述第二烘干腔内均设置有传送滚轮，所述传送滚轮被设置为放置和传输硅片。本发明的有益效果是通过气相酸雾去除未被掩膜覆盖区域的钝化膜，从而极大降低掩膜材料对耐酸性的要求；HF气体将会溶解到硅片所沾水的部分形成HF，HF对钝化膜进行腐蚀，可以通过控制HF的溶解量来控制腐蚀速度，可以相对精确控制释放的酸的量，减少酸的耗量。