[发明专利]无衬底垂直二极管集成电路结构在审
| 申请号： | 202111438853.X | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664951A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | A·贾扬提纳拉辛哈姆;B·格林;S·维什瓦纳特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了无衬底垂直二极管集成电路结构和制造无衬底垂直二极管集成电路结构的方法。例如，无衬底集成电路结构包括在电介质层中的半导体鳍状物，半导体鳍状物具有顶部和底部，并且电介质层具有顶表面和底表面。第一外延半导体结构在半导体鳍状物的顶部上。第二外延半导体结构在半导体鳍状物的底部上。第一导电触点在第一外延半导体结构上。第二导电触点在第二外延半导体结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 垂直 二极管 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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