[发明专利]一种β-氧化镓晶体及其生长方法与应用有效
| 申请号： | 202111437474.9 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114108088B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 胡开朋;吕进;陈政委;赵德刚;吴忠亮 | 申请（专利权）人： | 北京铭镓半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 张瑞雪;李爱民 |
| 地址： | 101300 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及宽禁带半导体结晶技术领域，具体公开了一种β‑氧化镓晶体及其生长方法与应用，一种β‑氧化镓晶体的生长方法，包括以下操作步骤：（1）于0.4‑0.6MPa惰性气体下，加热氧化镓原料，熔融；（2）下降籽晶，熔接；提拉籽晶，开始引晶；（3）引晶后，继续提拉籽晶，同时升举坩埚，坩埚的上升速率小于籽晶的提拉速率，使晶体自发放肩；放肩后，停止升举坩埚，降温，使晶体等径生长；脱模，停止提拉籽晶，冷却至23℃，即得β‑氧化镓晶体。本申请β‑氧化镓晶体的位错密度最低为0.98x104条/cm2，摇摆曲线半峰宽可达43弧秒，提高了β‑氧化镓晶体的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体 及其 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
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