[发明专利]一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构有效
| 申请号： | 202111437447.1 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114137660B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张加祥;朱一帆;欧欣;金婷婷;王旭东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;H04B10/70 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 方秀琴;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例所公开的一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构，其中制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，待刻蚀结构包括量子点层，待转移结构包括待转移区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在量子点层形成波导结构，之后利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片。基于本申请实施例利用聚合物拾取波导结构，并转移至待转移结构的待转移区域上，得到光量子芯片，可以提高耦合效率，减小芯片的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 集成 光量子 芯片 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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