[发明专利]辅助薄层型端面耦合器在审
| 申请号： | 202111416416.8 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115469399A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨雷静;郎需跃;忻向军;张琦;饶岚;孙莉萍;王宁;王拥军;田清华;田凤 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人： | 岳燕敏 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种辅助薄层型端面耦合器，包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层，所述二氧化硅包层内设有：输入段波导，包括条形中心波导以及多个辅助薄层波导，各所述辅助薄层波导在垂直于其延伸方向上的横截面形状均为长条状矩形，且各辅助薄层波导在延伸方向上各横截面的长边尺寸逐渐减小，多个辅助薄层波导的第一端端面的长边围成闭合方形，条形中心波导的第二端端面及各辅助薄层波导的第二端端面均位于端面耦合器的第二端端面内侧，且各辅助薄层波导与条形中心波导之间均间隔有预设距离；输出段波导，输出段波导的第一端与条形中心波导的第二端相接，输出段波导垂直于其延伸方向上的横截面面积沿延伸方向逐渐增大。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 薄层 端面 耦合器 | ||
【主权项】：
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