[发明专利]一种铁电-半导体耦合光伏器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111414150.3 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114122181A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李辉;李丛梦;古宏伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏器件技术领域，尤其涉及一种铁电‑半导体耦合光伏器件及其制备方法。本发明提供了一种铁电‑半导体耦合光伏器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型铁电材料层、第二载流子传输层和电极层；或包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型非铁电材料层、铁电材料层、第二载流子传输层和电极层。所述铁电‑半导体耦合光伏器件具有较高的光电转化效率和较低的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 耦合 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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